전자 등급 알루미늄 차아인산염

Taixing이 개발 및 생산한 전자급 알루미늄 차아인산염은 전자급 원료 정제 및 정밀 등급 수정의 핵심 기술을 혁신적으로 채택했습니다. 순도 99.8% 이상, 인 함량 ≥ 42.5%의 고순도 Al(H 2 PO 2) I3를 매트릭스로 사용합니다. 효율적인 난연성과 우수한 전기적 성능을 결합합니다. 6~10%만 첨가하면 1.6mm 두께의 UL 94 V-0 난연제를 얻을 수 있으며, 기존 난연제의 "기판 오염, 전기 성능 방해, 전자 등급 규정 준수 불가"의 업계 문제를 완전히 해결합니다. 이는 고급 전자 제조를 위한 안전하고 규정을 준수하는 핵심 재료 솔루션을 제공합니다.

핵심강점

1. 엄격한 전자 등급 요구 사항에 적합한 초고순도 및 낮은 불순물

-최고의 정제 공정으로 순도 보장: "다단계 재결정+정밀 여과+진공 탈기" 공정의 조합을 사용하여 제품 순도는 산업 등급 99% 표준보다 훨씬 높은 99.8% 이상이며, 염화물 이온(0.001% 이하) 및 황산염(0.002% 이하)과 같은 유해한 불순물을 효과적으로 제거하여 전자 부품 단락 또는 성능 저하를 유발할 수 있는 불순물 이동을 방지합니다.

-초저 중금속 잔류물: ICP-MS 검출을 통해 납, 수은, 카드뮴 등과 같은 중금속의 총 함량은 RoHS 2.0 제한 요구 사항보다 훨씬 낮은 0.5ppm 이하입니다. 프탈레이트(DEHP/BBP 등) 잔류물이 없어 전자등급 소재의 '저공해, 고청정도' 기준을 완벽하게 충족합니다.

-인 함량이 높아 효율적인 난연성 부여: 인 함량이 42.5% 이상으로 일반 차아인산알루미늄에 비해 난연성 효율이 40% 향상됩니다. MCA, APP 등 시너지제와 혼합한 후 PCB 기판에 8%를 추가하면 기판의 유전 특성에 영향을 주지 않고 V-0 수준의 난연성을 얻을 수 있습니다.

2. 우수한 전기적 성능으로 전자 장치의 안정적인 작동을 보장합니다.

- 낮은 유전 손실 및 높은 절연성: 유전 상수(1MHz) ≤ 3.8, 유전 손실 계수 ≤ 0.005, 체적 저항률 ≥ 10 1⁴Ω·cm. 첨가해도 기판의 전기적 특성이 크게 변하지 않아 반도체 패키징 및 고주파 통신 장비의 신호 전송 안정성이 보장됩니다.

-뛰어난 이온 이동 방지 특성: 1000시간 동안 85℃/85% RH의 습하고 뜨거운 환경에 배치한 후에도 뚜렷한 이온 이동 현상이 없어 전자 부품의 "전기 이동 실패"를 방지하고 신에너지 배터리, 자동차 전자 장치 및 기타 장치의 장기 서비스 요구 사항을 충족합니다.

- 우수한 비부식성 및 상용성 : pH 값은 3.5~4.5로 안정적이며 금속 접점 및 회로 기판에 부식 효과가 없습니다. 에폭시 수지, PA, PBT 등 전자급 기판과의 호환성이 뛰어나 기판 열화나 성능 저하를 일으키지 않습니다.

애플리케이션 시나리오

반도체 및 전자패키징 분야

-응용 분야: 반도체 칩 포장재, 전자 부품 포팅 접착제, 집적 회로 하우징

-일부 실리콘 미세분말을 대체할 수 있는 저유전율 필러로 첨가량은 15~30%입니다. 유동성을 유지하면서 유전율을 0.2~0.3 감소시키고 난연성을 UL94 V-0으로 향상시킵니다. CPU, GPU, 스토리지 칩 패키징에 사용됩니다.

인쇄회로기판(PCB) 분야

-용도 : PCB기판재료, 난연성 동박적층판, 회로기판 케이싱

- 저손실 동박적층판(CCL): PTFE, PPO, 시아네이트 에스테르 등과 같은 고주파 수지와 E-AHP100을 20~40% 첨가한 복합재로 Dk 3.2~3.8 및 Df<0.005를 달성하여 5G 밀리미터파 안테나 보드 및 서버 고속 백보드의 요구 사항을 충족합니다.

전자 등급 인산알루미늄, 전자 부품용 난연제, PCB 기판용 난연제, 신에너지 배터리용 난연제를 찾고 계시다면 Taixing이 최고의 파트너가 되어 최저 가격 협력을 제공하겠습니다!